隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。新一代半導體材料，將一路向寬，還是一路向窄？

新浪科技訊據報道，韓國三星電子是全世界最大的存儲芯片制造商，日前，三星電子研發團隊和美國哈佛大學共同發表了一篇研究論文，他們提出了一種新方法，準備在一個存儲芯片上“反向工程”（復制）人類的大腦。

從智能手機、電視到風力渦輪機，硅芯片的需求正在蓬勃發展，但它也付出了巨大的代價：巨大的碳足跡。該行業呈現出一個悖論。實現全球氣候目標在某種程度上要依靠半導體。它們是電動汽車、太陽能電池陣列和風力渦輪機的組成部分。

外媒報導，下世代半導體先進制程技術，研究人員已在開發稱為“CasFET”的制程技術，除了更低開關電壓、更低功耗和更高密度設計，新型芯片在晶體管應用難題獲得更好解決法，開發性能更優異的芯片產品。

美國麻省理工學院的工程師利用嵌入植物葉子中的特殊納米顆粒，創造出一種可由LED充電的新型發光植物。